恭喜電機系副教授胡璧合 榮獲2023年臺灣傑出女科學家獎 「新秀獎」

臺大電機系副教授日前榮獲2023年「臺灣傑出女科學家 — 新秀獎」，她的研究專長領域為前瞻奈米電子元件及記憶體電路設計，透過元件及電路的共同最佳化，使下世代電子元件及記憶體電路表現高密度、低功耗及高能效等特性。胡老師團隊在2022年提出結合前段互補場效電晶體（CFET）與後段相容元件之三維8T CFET-BEOL SRAM設計，與其他CFET SRAM相比，在穩定度、速度、能效及面積各方面皆達到顯著的改善，成果發表在半導體領域國際頂尖會議2022 International Electron Devices Meeting（IEDM）。其團隊亦在2021 IEDM提出可應用於低溫運算控制電路的4T SRAM設計，透過縮小記憶體單元面積並降低寄生電容電阻的影響，有效改善能源效率，並提高記憶體密度。此外，在2019國際頂尖會議 Symposia on VLSI Technology & Circuits（VLSI）上，團隊提出分離閘極鐵電場效電晶體（FeFET）記憶體之新穎結構設計，利用動態調整記憶體視窗降低寫入電壓，並改善讀取感測區間於仿神經運算的應用，其電導特性亦表現出良好的線性及對稱性。胡老師於半導體領域頂尖國際會議及重要國際期刊的發表內容，展現出其團隊豐沛的研究能量，且研究成果具學理創新及前瞻性。

胡璧合老師介紹: https://towis.loreal.com.tw/taiwan-FWIS-detail.php?id=76