材料系白奇峰助理教授與工研院記憶體團隊成功開發台灣第一批次世代自旋軌道矩記憶體

材料系白奇峰助理教授與工研院電光系統所的記憶體研發團隊，日前共同發表論文於 IEEE Electron Device Letters，探討次世代記憶元件—自旋軌道矩磁阻式記憶體 (spin-orbit torque magnetoresistive random access memory, SOT-MRAM)—的操控特性與物理機制。此一成果不僅將臺灣製造的第一批 SOT-MRAM 推上國際舞臺，更展示了國內紮實的次世代記憶體研發能力和製程技術。

隨著市場對於高速運算能力及資訊儲存的需求快速增長，次世代記憶體的發展也有爆炸性地成長。在諸多新型態的記憶體中，磁阻式記憶體 (MRAM) 因具有低耗能、寫入速度快等特性，逐漸成為產學雙方投入資源研發的重點項目。而當今的主流 MRAM，其資訊寫入機制為二十年前由物理學家所提出的概念：自旋矩 (spin-transfer torque, STT)。當電流流經 MRAM 元件時，藉由自旋電子本身帶有的自旋角動量，將 MRAM 中的磁矩翻轉，達到改寫資訊的目的。目前各大半導體廠極力開發的 MRAM，便是以 STT-MRAM 為基本架構，冀望在半導體製程不斷微縮的過程中，能夠將尺寸小的 STT-MRAM 作為嵌入式記憶體 (embedded memory)。

除了 STT 以外，另外一種新型態的自旋矩也能夠被用來操控磁記憶體。藉由過渡金屬中的巨大自旋霍爾效應 (giant spin Hall effect)，自旋電流可以被有效率地產生。此一自旋電流所生成的自旋矩，因為主要來自材料中的自旋軌道交互作用 (spin-orbit interaction)，而被稱作自旋軌道矩 (spin-orbit torque, SOT)。SOT-MRAM 的基本架構最早在 2012 年被提出，但後續的研究大多是在學術單位的小規模製程設備上被驗證。今年六月，比利時的微電子研究中心 (imec) 首度發表了在 12 吋晶圓上開發出穩定的 SOT-MRAM；而臺大材料系白奇峰助理教授與工研院電光所的記憶體團隊，經歷超過兩年的合力研究，於今年七月發表了在 8 吋晶圓上開發出穩定的 SOT-MRAM，並深入探討其熱穩定度及寫入的物理機制。

本研究的第一作者為工研院電光系統所之元件工程師 Sk. Ziaur Rahaman 博士，共同作者包含臺大材料所博士生陳天玥與其指導教授白奇峰。詳細的研究成果請參閱正式發表全文：Pulse-Width and Temperature Effect on the Switching Behavior of an Etch-Stop-On-MgO-Barrier Spin-Orbit Torque MRAM Cell, IEEE Electron Device Letters, Early Access (2018). DOI: 10.1109/LED.2018.2856518。