盧志遠博士榮獲美國國家發明家學院院士

物理系特聘研究講座教授盧志遠博士榮獲學術發明家最高榮譽 -「2017年美國國家發明家學院 (NAI, National Academy of Inventors) 院士 (NAI Fellow)」。盧博士獲此榮銜，彰顯NAI高度推崇與肯定其傑出發明，對於促進生活品質、經濟發展和社會福利展現高度且豐富多元的創新精神，並產生實質性影響力。盧志遠博士將於2018年4月5日應邀至美國受奬表揚。

NAI 院士是國際發明家最重要的榮譽之一，除了學術成就，更推崇學有所用。臺大傑出校友，目前也是臺大物理系特聘講座教授的盧志遠博士，浸淫半導體產學研界逾30年。他長期投身於科技創新及尖端研發，不但是位傑出科研專家，且又能具體實踐應用。早於1980年代中期，盧志遠博士即在Bell Labs研發當時業界最高伏技術600V之BCDMOS IC技術，他也是全球首位於IEDM發表DRAM最詭譎的可靠性問題技術論文，之後領導研發Bell Labs 0.6微米 Twin-tub CMOS元件製程技術，其技術理論迄今仍被廣泛引用。而他於1989年受邀回臺，出任工研院電子所副所長，帶領執行國家次微米計畫，讓臺灣具備八吋晶圓產製能力。次微米計畫後衍生成立世界先進公司，成為催化臺灣記憶體產業的重要推手。

1999年，盧志遠博士加入旺宏電子，專注非揮發性記憶體前瞻技術研發，帶領旺宏研發團隊持續在國際重要學術會議如IEDM、ISSCC、VLSI、IRPS等發表多項次世代記憶體先驅技術，研發實力屢獲全球高度肯定。旺宏電子目前於全球所擁有的高品質專利數已逾7,200項。而他所創辦的欣銓科技，證實晶圓級測試為可行的商業模式，更成為尖端半導體生產過程中不可或缺的一環，也獲得美國哈佛大學商學院(HBS)納為推廣教案。

盧志遠博士積極鑽研電子元件及材料科技，發表超過 480多篇學術及技術論文，更擁有160餘項國際專利，榮獲無數國內外獎項及榮耀肯定，包括美國電機電子學會IEEE千禧傑出獎章、潘文淵文教基金會研究傑出獎、行政院傑出科技人才獎，有世界科技研發工程師界奧斯卡獎之稱的IEEE Frederik Philips Award、國家最高榮譽科學研究獎項--總統科學獎，及世界科學院(TWAS)工程科學獎等，更獲得美國物理學會APS Fellow、IEEE Fellow、中華民國科技管理學會院士及科技管理獎、工研院院士、臺大傑出校友、交大名譽博士等榮銜。盧博士不但在百忙之中仍應允擔任物理系特聘講座教授，向學術界分享豐碩的產業經驗，更熱心支持母校及物理系所及產學研界各項活動，包括長期贊助中華民國物理學會年會等，皆是以實際行動支持科技教育推廣及人才培育計畫。

NAI於 2017年選出155名新院士，目前全球共有912位NAI院士，他們皆是重要的學術界巨擘與掌舵者，包含29位諾貝爾獎得主，52位美國國家學術院院士等，所擁有的美國專利超過32,000個。過去院士中的臺灣學者還包括科技部長 陳良基、臺北醫學大學校長 閻雲、中央研究院長 廖俊智、前臺大校長 楊泮池、交通大學校長 張懋中、中央研究院院士 錢煦、朱經武 和李文華等人。這些NAI院士的成就與努力貢獻，為全世界的經濟與社會進步發展提供創新動力， 也為人類醫療健康和環境永續帶來福祉與希望。

美國國家發明家學院暨年會相關網站：
http://academyofinventors.org/fellows.asp
http://www.academyofinventors.org/conference/